你还挺关心这一块的！”
“那当然，谁让你动不动就念叨这些！”
“本来确实如此，不过国外在进步，咱们华投也同样在进步，咱们离o.5微米的光刻机已经一步之遥，如果倭国鬼子要想打压我国的发展，不下大本钱是不行了！”
孙祖杰嘴上这么说，实际上他还是在咋呼，欧派微造联合国内的科研院所目前也才刚刚吃透1微米光刻机的生产技术，这还是因为看到了倭国进口光刻机才提前搞定的。
但是华国在浸入式光刻技术上研究了将近十年，已经有了不少独家秘诀，两相结合，生产出o.5微米製程的晶片已经成为可能。
这样一来，只要欺骗得当，就很有可能逼迫美倭早一点出口o.5微米光刻机，要知道九十年代，早一年晚一年这差距太大了。
晶片製造工艺的更新换代大概三年一个周期，但进入奔腾时代，製程工艺的进步速度更快，竟然达到了两年一个周期。
到了1993年，主流的晶片製造工艺已经达到了o.5微米，然后inte1公司两年一代，o.35微米， o.25微米， o.18微米，到了2oo1年已经实现了o.13微米工艺的量产。
考虑到晶片工厂长达两年的建设周期，向华国这样的追赶者简直无所适从，基本上晶片生产线还在建设中，就已经落后于主流标準了。
但是存储器却不一样，存储器的製造工艺要落后于处理器，8英寸，o.5微米製程生产线只要建成，到9o年代末都不算落后，这样就有可能收回成本。
而据孙祖杰所知，中芯国际新世纪初建设的类似的生产线经过改造升级之后照样赚钱赢利了，所以从这个角度上，这样的生产线建设越早越赚钱。
当然赚钱倒是其次，最重要的是如果製程工艺达到了o.5微米的标準，华国在模拟晶片和功率元件的製造上的差距就没有巨大了。
这样孙祖杰就可以相当宽鬆的在这两个领域加大追赶的力
-->>(第3/5页)（本章未完，请点击下一页继续阅读）