我有科研辅助系统

溶剂挥的过程中，也将伴随着有效层显微形貌的改变。

      如果这个影响是正面的，反应出来的结果就是“放置变好”，反之，就是“放置变差”。

      在经过退火操作的器件中，因为有效层内残留的溶剂较少，所以可以认为不存在溶剂挥这个过程。

      因此，额外的放置时间对于经由退火处理的器件性能的影响并不大。

      可能长时间放置也会有变化，但在短时间内的表现就是“放置不变”。

      当然，这些都是许秋提出的观点，具体对不对，只能通过不断的实验来检验。

      不过，他自我感觉这套理论没什么问题，至少现阶段的实验结果，是支持他这些推论的。

      许秋决定之后把“真空放置”这个实验操作，与热退火、溶剂退火等并列为一种对加工工艺进行优化的方式。

      具体操作起来，可以晚上蒸镀完成，不打开蒸镀舱，让基片在舱里“闷一晚上”，等到第二天白天过来再进行测试。

      这样做，就是消耗的时间会久一些。

      不过，为了提升器件性能，也是值得付出的成本。

      对于模拟实验室中的影响倒是不大，因为里面蒸镀舱的数量足够多，可以循环利用不同的蒸镀舱进行实验。

      另一方面，将pcBm引入顶电池的策略，同样获得了突破性的进展。

      现在二元IdIc-m/三元coi8dFIc体系在模拟实验室中的结果，器件效率已经达到了%。

      相较于之前三元IdIc-m/二元coi8

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