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    三元IdIc-m/二元coi8dFIc体系的短路电流密度可以达到14.32毫安每平方厘米，相较于三元IdIc-m/二元IeIco-4F体系的13.98毫安每平方厘米，提升了大约2.4%。

    而两者在开路电压和填充因子上的变化并不大。

    最终，这种差异反应在器件光电转换效率上，就是从后者的15.91%变化到前者16.22%，刚好也是提升了2%左右（相对数值），与短路电流密度的提升幅度相当。

    虽然相对2%的提升，看似很小，但到了最后效率冲刺的阶段，每一点点细微的优化都是非常关键的。

    拿到数据后，许秋开始探究这个实验现象背后的原因，看看能不能找到合理的解释，以及进一步优化的空间。

    一方面，许秋认为两种叠层体系短路电流密度的变化，可以归因于原本二元单结体系的差异。

    虽然coi8dFIc和IeIco-4F两种材料的禁带宽度相当，但是在实际制备器件的时候，形成的有效层薄膜的显微形貌也会对短路电流密度造成影响。

    这就导致在二元单结的体系中，pce1o:coi8dFIc体系的短路电流密度，就比pce1o:IeIco-4F要高一些，前者可以达到26毫安每平方厘米左右，而后者只有23-24毫安每平方厘米。

    现在把它们用于叠层器件中的顶电池，大概率也会“遗传”一部分它们在二元单结体系时的特性。

    另一方面，李丹课题组另外一篇基于coi8dFIc三元体系的文章，给了许秋进一步优化的思路。

    叠层器件之前引入pcBm，并不是为了提高对应子电池的器件效率，而是为了方便对叠层器件各个子电池的光吸收性能进行调控，让顶电池和底电池的短路电流密度相匹配。

    换言之，pcBm到底放在底电池中，还是放在顶电池中，其实并不是很重要。

    现在，最优的叠

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