我有科研辅助系统

ortmunication（短通讯）”。

      本来相较于正常artic1e格式的文章munication就够短的了，一般是三千个单词左右，三到五张图片的样子。

      而现在这个shortmunication更夸张，正文只有两页半，全文就一张图片，整合了分子结构、光吸收光谱、荧光光谱、J-V特性曲线以及eQe曲线。

      不过，实验方面的工作量其实也没少太多，因为其他的表征测试也是做了的，包括光源gIwaxs，电镜Tem、aFm，电荷迁移率scLc，只是被放在了支持信息中，里面有足足2o张图片。

      当然，文章短不短的，对许秋来说也无关紧要。

      他主要关注到三个点，即coi8dFIc体系具有“窄禁带宽度”、“高电流密度”、“对膜厚不敏感”的特点。

      coi8dFIc的禁带宽度只有1.26电子伏特，光吸收带边可以达到1ooo纳米，已经接近硅的禁带宽度了，常温下本征半导体硅的禁带宽度为1.12电子伏特。

      也因此，基于coi8dFIc二元体系的器件，短路电流密度就高达26毫安每平方厘米，三元体系更是达到了28毫安每平方厘米，比许秋现阶段拿到手的y系列受体都夸张。

      当然，高短路电流密度也是有代价的，那就是开路电压偏低，只有o.68伏特。

      不然，给这种电流密度配上一个o.8伏特以上的开路电压，打破现阶段世界纪录的课题组就不是许秋，而是李丹课题组了。

      同时，coi8dFIc还兼顾了IdIc系列的优点，在制备厚膜器件时，器件性能的衰减幅度较

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