这也是许秋在阅读文献中获得的灵感，他之前就看到过中科院化学研究所卢长军课题组表的文章，对方拍的照片中带着as的文字标识，是那种一张纸上斜着打印了一排排的“as”，还是黑白的，看起来比较弱鸡。
许秋这次直接上彩图Logo，逼格更高一些。
第四张图，许秋打算给“自己”增加点工作量，深入研究体系，在不同电极厚度下器件的效率和对应的aVT数值。
厚度值决定分别选择1o、12、14、16、18、2o、1oo纳米，其中1oo纳米作为正常器件，也就是标样进行参比，其他的薄层电极厚度都是包含1纳米金在内的。
这里可以列一张表，用表格的形式详细列举出不同电极厚度下，pce、aVT等数据的变化情况。
第五张图……许秋现实在没什么可做的实验了。
只有四张图的话，也不是不可以，但文章就显得稍微有些单薄。
于是，他决定搞点花里胡哨的东西出来，这也是之前看其他人文献时得到的灵感。
正常器件测试的时候都是从玻璃/ITo这一测打光测试，半透明器件的常规测试方法也是一样，从透明玻璃一侧打光。
许秋打算另外测试一组从半透明电极那一侧打光的器件性能数据。
可以预见的是，器件效率肯定是会变低的，因为光在到达有效层前就会被半透明电极先吸收一小半。
而效率的衰减绝大多数来自于这项吸收损失，因此衰减的幅度基本上约等于一减去半透明电极的aVT。
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