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光范围内的平均透过率（aVT）可以做的很高，最高甚至能达到5o%，但效率（pce）一直上不去。

    光有aVT，没有pce，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如5o%的aVT配上1%的pce，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。

    目前，性能最好的一个工作是基于pce1o:pcBm的半透明器件，效率只有7%，aVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的1o纳米银电极。

    正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以pce1o:IeIco-4F和pce1o:FnIc-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的1oo纳米不等。

    最终的结果，以pce1o:IeIco-4F体系为例。

    电极厚度在1oo纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的aVT约为o，即器件几乎完全不透过可见光。

    5o纳米条件下，最高效率分别为12.o%、12.1%和12.o%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的aVT同样约为o。

    3o纳米条件下，最高效率分别为1o.8%、11.o%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，效率衰减不明显，而铝作为电极的器件，效率衰减比较严重。此时器件的aVT达到了5%-1o%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

    2o纳米条件下，最高效率分别为9.4%、1o.2%和o%，金、银作为电极的器件，效率衰减仍不明显，而铝作为电极的器件，已经断路。此时器件的aVT达到了1o%-2o%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

    1o纳米条件下，最高效率分别为8.o

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