Ic的体系，和3d-pdI体系不同，这种ada分子的最优器件加工条件，不需要退火后处理，也不需要溶剂添加剂，只需要正常的喷涂即可，非常的简单，很“干净”。
而且，正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2%左右，仅为8.33%，如果其他人不知道喷涂这个技巧，就会比较难以重复出来这个结果。
第二，基于IdT-IcIn-4F/4c1/dm这些结构，性能相较于IdT-IcIn，-4F和-dm体系有所提高，幅度也不算小，从6.22%分别提升到了8.92%和8.o6%，而-4c1体系反而略微降低，至5.77%。
第三，学妹的h3x体系，也就是在BdT单元上引入氟原子后，器件的性能并没有提高，反而略微降低。
根据现有的文献，从统计学上来看，BdT上引入氟原子，性能提升的概率大概在2o%左右，当然的想法是虽然这个概率不高，但也值得尝试，现在扑街了，也没什么大不了的。
因为哪怕是扑街的材料，和ITIc结合，器件性能也有8.72%，最后拿出来水一篇acsamI还是没什么问题的。
第四，博后学姐的Fn-IcIn体系，被许秋简称为FnIc，效率最高可达9.64%，最优的匹配给体为窄带隙的pce1o，而非宽带隙的h22系列。
许秋推断可能是分子共轭长度延长，光吸收范围会向近红外的方向移动，以至于和窄带隙的材料形成互补的光吸收。
他顺手让模拟实验人员测了一个光吸收光谱，得以验证，IdT-IcIn、ITIc、FnIc的共轭长度分别为5、7、9，光吸收的范围大致各为55o-75o、6oo-8oo、65o-85o，也就是共轭长度每提高2，光吸收大约红移5o纳米。
除了得出了四个结论外，许秋还顺便想出了接下来的优化方向。
第一优先级，合成IdTT-IcIn-4F、I
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