晶信号，对应着晶面指数（o1o），位置约为1.6o埃的负一次方。
而2#样品同样出现了1#样品的全部样品信号，只是相对1#样品弱了一些。
此外，还出现了属于pcBm的环状信号，大约位于1.4o埃的负一次方。
这表明pBFBT4T-2od材料，是标准的face-on结构，电荷载流子容易在垂直方向上输运，这样的材料就非常适合于太阳能光伏器件中。
相反的，如果（1oo）信号出现在横轴，而（o1o）信号出现在纵轴上，则对应为edge-on结构，电荷载流子容易在水平方向上输运，这样的材料适合用于有机场效应晶体管oLed中。
“完美啊。”
看到这样的结果，许秋心中大定。
不同的表征测试结果，可以相互印证，最终解释了器件性能高的原因。
这项工作的最后一块拼图，刚好严丝合缝的拼了上去，几乎没有瑕疵。